研磨用β相碳化硅超細粉末50nm

立方碳化硅即β-SiC，又名貝塔碳化硅。不同于α碳化硅的六方晶型，立方碳化硅的結構屬于類似于金剛石晶型的立方晶系。其特殊的晶體形態使得它具有接近于金剛的硬度，莫氏硬度為9.5-9.75。同時，立方碳化硅具有優秀的理化性能，例如很高的導熱率、高電子漂移速度、高電子遷移率、寬能帶隙、特殊電阻溫度等電力性能 。立方碳化硅還具有良好的化學穩定性，特殊電阻溫度、耐腐蝕、抗熱震性能等。
Cubic silicon carbide β- SiC, also known as beta silicon carbide. Different from α The hexagonal crystal structure of silicon carbide belongs to a cubic crystal system similar to diamond crystal structure. Its special crystal morphology gives it a hardness close to that of diamond, with a Mohs hardness of 9.5-9.75. Meanwhile, cubic silicon carbide has excellent physical and chemical properties, such as high thermal conductivity, high electron drift rate, high electron mobility, wide bandgap, special resistance temperature, and other electrical properties. Cubic silicon carbide also has good chemical stability, special resistance temperature, corrosion resistance, and thermal shock resistance.

立方碳化硅的性能特點：
1.高純度，常規碳化硅純度99%，99.9%, 99.99%的也可以定制。
2.優異的耐高溫、耐磨、耐腐蝕、抗輻射、抗熱震性能。
3.具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，適合制成半導體元件和光電元器件等。
4. 等離子破碎工藝生產，粒度精細度高。適合研磨拋光，也可根據客戶要求定制。微米級和納米級都可以提供。

技術指標：
晶體結構 立方晶系
晶相 β相
熔點 2700°
分解溫度 2830°±40°
真密度 3.216g/cm3
熱膨脹系數（100°） 6.58 x10-6 /°C
熱膨脹系數（-100°） 2.98 x10-6 /°C
熱導率 0.063-0.096 J/（cml.s.k）
莫氏硬度 9.5-9.75
維氏硬度（顯微硬度） 2kg/mm2
磁化率 -12.8x10-6
壓縮系數 0.21x10-6



型號 平均粒徑 純度（%） 晶型 顏色
β-SiC50nm 50nm 99% / 99.9% β相立方晶型 灰綠色
β-SiC500nm 500nm 99% / 99.9% β相立方晶型 灰綠色
β-SiC1um 1um 99% / 99.9% β相立方晶型 綠色
β-SiC3um 3um 99% / 99.9% β相立方晶型 綠色
β-SiC5um 5um 99% / 99.9% β相立方晶型 綠色
β-SiC8um 8um 99% / 99.9% β相立方晶型 綠色
β-SiC10um 10um 99% / 99.9% β相立方晶型 綠色

產品用途：
1. 精細研磨
2. 特種涂料
3. 精密碳化硅陶瓷
4. 半導體
5. 耐火材料
6. 電子元器件